文/小伊评科技
在当前的手机市场中，评估一款手机性能时，除了SOC（系统级芯片）性能外，闪存的性能也是一个重要的指标。运存（内存）的性能差异更多体现在数据中，对用户体验的影响相对较小。本文将重点探讨闪存的相关性能。
决定闪存性能的主要因素：
1. 闪存标准：闪存标准如eMMC、UFS2.1、UFS2.2和UFS3.1，类似于网络标准（4G、5G），定义了闪存的性能上限。
2. 闪存颗粒：闪存颗粒从高到低依次是SLC（单层单元）、MLC（多层单元）、TLC（三层单元）和QLC（四层单元）。目前大多数手机使用的是TLC颗粒，部分使用QLC颗粒。不同颗粒在读写速度上有差异，但主要差异体现在寿命方面。
3. 主控芯片：每块闪存都有一个集成在内部的控制器，主控芯片对闪存性能有重要影响。
4. SOC的支持程度：不同SOC支持的闪存标准不同，例如，骁龙778G处理器支持UFS3.1闪存，而骁龙765G处理器不支持UFS3.1，尽管手机厂商使用UFS3.1闪存，也无法充分发挥其性能。
虽然影响闪存性能的因素很多，但真正决定性能的主要还是闪存标准。相比eMMC，UFS2.0和UFS2.1的性能提升了一倍多；从UFS2.X到UFS3.X，性能又有接近一倍的提升。闪存颗粒和主控芯片带来的性能差异相对较小。
以红米K30S为例，128G版和256G版的闪存供应商不同，虽然闪存读写性能有差异，但差别不大，远不及不同闪存标准之间的差异显著。
UFS2.2与UFS3.1的性能差距分析：
UFS2.2实际上是在UFS2.1的基础上引入了
下面是UFS2.2和UFS3.1的性能对比数据：
UFS3.1：
顺序读取：1962MB/s
顺序写入：1290MB/s
随机读取：274.31MB/s
随机写入：269.58MB/s
UFS2.2：
顺序读取：973MB/s
顺序写入：869MB/s
随机读取：238MB/s
随机写入：246MB/s
UFS2.1：
顺序读取：965MB/s
顺序写入：476MB/s
随机读取：143MB/s
随机写入：148MB/s
从数据上来看，UFS3.1在顺序读写性能上比UFS2.2高出了一倍多。顺序读写性能主要影响程序安装、系统文件复制和游戏加载。配备UFS3.1闪存的手机在安装软件和加载游戏时会显著快于配备UFS2.2闪存的手机。
尽管UFS2.2在随机读写性能方面与UFS3.1的差距较小，只有约10%左右，但随机读写性能对日常使用中的APP启动响应速度至关重要。UFS2.2相比UFS2.1的提升显著，后者的性能大约只有前者的一半。
闪存标准对性能的影响不可忽视。UFS3.1在顺序读写性能上的优势尤为明显，对用户体验的提升也更为显著。
end 希望这些信息对你有帮助。