随着小米11的正式发布，各大媒体对它的评测逐渐解禁，其中最受关注的莫过于高通最新一代旗舰芯片骁龙888的性能表现。
骁龙888采用了先进的5nm LPE制程工艺，此前苹果的A14和华为的麒麟9000芯片也选择了5nm制程，但它们是由台积电代工的。小米11搭载的骁龙888在实际测试中却出现了一些问题。
根据爱否科技的评测，小米11在3DMark压力测试中因温度过高导致测试无法持续进行。尽管偶尔有成功的测试，但手机表面温度依然飙升至51°，稳定性也只有91%，即便放入冰箱，稳定性也只能达到95%。
除此之外，微博上的数码大V也分享了小米11性能测试时遇到的问题。@肥威表示，自己手中的机子在功耗方面存在一定问题，这可能是早期系统固件的不完善所导致的。
面对这些质疑，有网友认为是否是5nm制程工艺出现了问题。但深入分析后发现，问题的根源可能并不在此。
从已知信息来看，骁龙888的CPU配置了8个核心，包括1个超大核Cortex-X1、3个大核Cortex-A78和4个小核Cortex-A55，GPU为Adreno660。尽管官方声称GOU性能提升了35%，能效提升了20%，但具体数据对比显示，与前代产品相比，其性能提升并非毫无争议。
特别是Cortex-X1的使用，尽管在性能上有所提升，但却带来了更高的面积和功耗。而ARM官方的数据显示，其他核心配置在性能和能耗上都有所优化。CPU部分的“翻车”焦点在于如何平衡性能与功耗。
至于三级缓存，其作用在于加速CPU处理任务的速度。容量越大，处理速度越快。关于三级缓存的配置也成为了评估芯片性能的重要因素。
就整体而言，我们不能单纯地将小米11的性能问题归咎于5nm制程工艺的不成熟。实际上，这可能与芯片的个体差异、机身内部结构设计、散热系统、系统优化等多方面因素有关。
例如，台积电的5nm制程工艺芯片表现也不尽如人意，A14仿生与预期的性能提升存在差距，华为的麒麟9000在功耗控制上也与官方宣传有所出入。这表明，今年的5nm制程工艺在实际应用中可能并未达到官方宣传的效果。
目前拿到的都是小米11的工程机，与市售版本可能存在差异。而且，小米11的散热设计已经有了明显的提升，采用了VC液冷均热板，这有助于提高主板的散热能力。
小米11的性能测试并非完全由于5nm制程工艺技术不成熟所致。新的处理器和厂商的产品之间都需要一个磨合期。如果后期能够通过升级系统固件解决这些问题，那么这并非是技术上的大问题，而是需要更好的优化和磨合。
受到影响，今年的新产品都可能面临各种挑战和未知的问题。我们应理性看待每一次测试和评测结果，不要过早下结论。毕竟，技术发展需要时间和经验的积累。
希望大家能以更加开放和理性的态度对待每一次技术革新和产品发布。