今日，上海，东芝电子重磅发布——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）于2022年3月31日正式推出其150V N沟道功率MOSFET——创新型号“TPH9R00CQH”。该器件以最新一代的“U-MOSX-H”工艺为基础，特别适用于工业设备开关电源，如数据中心电源和通信基站电源。自今日起，该产品将开始支持批量生产。
相较于前代产品TPH1500CNH，该产品以更先进的“U-MOSX-H”工艺制造，实现了显著的漏源导通电阻下降，减少了约42%的阻力。通过对新型MOSFET结构进行优化，成功地达到了导通电阻与电荷特性间的平衡状态，确保了设备运行的低损耗效果。在开关操作中，有效降低漏极和源极间的尖峰电压，这对于降低电磁干扰（EMI）非常关键。
东芝提供了SOP Advance及更为普遍采用的SOP Advance（N）两种表面贴装封装类型的支持，为电路设计提供了更大的灵活性。公司还提供了一系列工具，包括能快速验证电路功能的G0 SPICE模型和能精确模拟瞬态特性的高精度G2 SPICE模型，为电路设计人员提供了强大的技术支持。
东芝正持续拓展其MOSFET产品线，旨在通过减少损耗来提高设备电源效率，从而为节能减排作出贡献。
- 应用领域：
- 用于通信设备的稳定电源供应
- 适用于高效率DC-DC转换器等开关电源设备
- 产品特性：
- 优异的低损耗特性，实现了导通电阻与栅开关电荷及输出电荷间的良好平衡。
- 出色的导通电阻表现：RDS(ON)最大值为9.0mΩ@VGS＝10V。
- 高额定结温：Tch最大值可达175℃。
- 主要规格参数：
（除特别说明外，所有数据均在@Ta＝25℃条件下测试得出）
注：
[1] 数据基于东芝截至2022年3月的内部调查。
[2] 栅极开关电荷和输出电荷的详细数据参见技术文档。
[3] 与现有产品TPH1500CNH相比，新产品的漏源导通电阻与栅开关电荷的乘积提高了约20%，与输出电荷的乘积提高了约28%。
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