自2007年起，DDR3内存已经为技术领域稳健服务了八个年头。在它光荣的历程中，新一代内存DDR4已开始进入零售市场。虽然DDR3性能卓越，但随着技术的进步，更新换代似乎是不可避免的趋势。
DDR4的初始频率设定为2133MHz，在上市前就已引发了网友的讨论。他们主要关注的是频率偏低以及CL值较高的问题。
目前，DDR4主要在高端的X9台上得到支持。这一平台的价格不菲，尤其是配备2133MHz内存时，仅是入门级选择。而高端的3000MHz内存价格更是居高不下，这无疑增加了购买X9台用户的负担。
若Haswell-E能同时支持DDR3和DDR4，那么如何选择呢？虽然金钱是选择的一个重要因素——钱多选DDR4，钱少选DDR3——但更为明智的用户会考虑性能的优劣。
随着处理器的升级换代，内存的支持也至关重要。Haswell-E平台采用四通道设计，与IVB-E/SNB-E一脉相承。相较于IVB-E的DDR3原生1866MHz，DDR4内存的初始频率有了显著提升。Haswell-E除了带来处理器性能的飞跃外，对DDR4的支持也是其亮点之一。
论DDR4与DDR3内存差异：外观方面
细心观察的朋友们可能已经发现，DDR4内存的金手指有了显著的变化。其金手指不再遵循直线设计，而是采用了中间稍突出、边缘渐低的形状。这种设计不仅保证了金手指与内存插槽触点的充分接触，还通过平滑曲线过渡减少了拔插时的摩擦力。
接口位置也有所调整。金手指中间的“缺口”位置较DDR3更加靠近。在金手指触点数量上，普通DDR4内存拥有284个触点，相较DDR3的240个有所增加，且每个触点的间距从1mm缩小至0.85mm。
DDR4的核心任务是提高频率和带宽。按照标准，DDR4的最低频率为1600MHz，但实际应用中至少应为2133MHz，最高则可达到3200MHz。每个针脚都能提供高达2Gbps（约256MB/s）的带宽。这意味着DDR4-3200的带宽高达51.2GB/s，相较DDR3-1866有了近70%的提升。
在外观对比上...
相较于DDR3，DDR4的外观发生了显著变化。除了DIMM内存条的长度和高度略有增加外，SO-DIMM笔记本内存条的尺寸也有所调整。
关于厚度与针脚数量的变化...
随着技术的进步，DIMM内存条的厚度从1.0毫米增加到1.2毫米。这主要是由于PCB层数的增加所致。DIMM的针脚数量从240针增加到284针，针脚间距也相应地缩短。同样地，SO-DIMM的针脚数量和间距也有所调整。
更佳的用户体验...
值得一提的是，DDR4金手指的设计更为人性化。其弯曲的设计不仅使插拔更为方便，还加入了缺口设计以防止插错。内存条上的数据也由原先的1个大幅增加到9个。
还有其他的改变...
除了外观和接口的改进外，DDR4在技术参数上也发生了巨大变化。例如，采用3DS堆叠封装技术后，单条DDR4内存的最大容量可达目前产品的八倍之多。电压方面也有所降低。具体来说...
在电压和容量方面...
随着制造工艺的进步，DDR4将使用20nm以下的技术来制造。这使电压得以降低至1.2V（从DDR3的1.5V），移动版的SO-DIMM DDR4电压甚至更低。而大容量内存单条可达64GB甚至128GB的容量。