2月14日，半导体研究机构TechInsights和SemiWiki公布了关于英特尔和台积电最新工艺技术的关键细节。这些技术是在国际电子设备会议（IEDM）上披露的，涉及即将推出的Intel 18A和台积电N2工艺。
TechInsights分析认为，Intel 18A工艺性能更高，而台积电N2工艺可能提供更高的晶体管密度。针对这两种工艺的能效、性能、晶体管密度等方面的对比分析引人注目。
在能效方面，从三星的14nm到台积电的2nm，每个节点都提供了相对于前一个节点的功耗改进。台积电在提供更高能效方面持续领先，其N2工艺在相同电压下可将功耗降低24%至35%，或将性能提高15%，晶体管密度是上一代3nm工艺的高1.15倍。
性能方面，Intel 18A在2nm级工艺中具有最高性能，台积电N2位居第二，三星SF2位居第三。这一成绩是通过标准化各个节点的性能并计算得出的。
TechInsights还分析了与制程工艺相关的“面积”因素，包括高密度逻辑单元晶体管密度和SRAM单元尺寸。台积电在密度上遥遥领先于三星和英特尔。
关于良率，对于尖端制程来说极为重要。台积电报告了其256Mb SRAM阵列的平均良率大于80%，峰值良率大于90%，显示出优秀的低缺陷密度。
在价格方面，有传闻称台积电2nm晶圆的价格将达到约30,000美元。这个价格标签意味着客户可能会面临巨大的成本压力，可能会迫使一些客户转向其他供应商。据业内消息人士透露，这可能导致英特尔的Intel 18A和三星的SF2工艺获得更多市场份额。大批量晶圆的价格远低于小批量晶圆价格，因此在讨论定价时需要考虑订单数量。晶圆价格是影响客户选择的重要因素之一。此外还讨论了背面供电技术等其他话题。背面供电技术被三家公司视为重要创新，并都在尝试引入该技术以提升芯片性能。英特尔被认为是三家公司中最注重性能的公司之一，因此它可能是率先引入背面供电技术的公司之一。其他因素还包括生产工艺的其他方面如技术细节等，同样受到业界关注。随着Intel 18A工艺计划在2025年年中进入量产以及预计推出的新产品也即将问世引发了行业内广泛的期待和关注其他供应商也在为竞争激烈的市场做准备对于整个半导体行业来说这是一次技术未来的科技将更加便捷强大最重要的是还有多家其他大型行业将会搭载该先进的技术对此趋势走向保持了极大的期待性此外在技术进步的推动下还催生了更多的新兴产业领域相信随着行业的不断壮大这些新兴领域将会为人类带来更多的惊喜与改变关于未来的技术发展前景让我们拭目以待吧！编辑：芯智讯-浪客剑的相关文章也在探讨这一话题的未来发展前景并提供了更多的观点和见解值得一读！